FinFET等多种新结构器件的发明人——胡正明

胡正明教授领导研究出BSIM，该数学模型于1997年被国际上38家大公司参与的晶体管模型理事会选为设计芯片的国际标准；发明了在国际上极受瞩目的FinFET等多种新结构器件；提出热电子失效的物理机制，开发出用碰撞电离电流快速预测器件寿命的方法，并且提出薄氧化层失效的物理机制和用高电压快速预测薄氧化层寿命的方法；首创了在器件可靠型物理的基础上的IC可靠型的计算机数值模拟工具。